Samsung, 200’den fazla katmana sahip olacak katı hal depolama cihazları için daha yüksek performans ve bit yoğunlukları sağlayacak 8. Nesil V-NAND belleklerin seri üretimine başlayacağını duyurdu. Teknoloji devi aslında 2013 yılında 24 katmanlı V-NAND flash yongalarıyla birlikte rakiplerinden öndeydi. Diğer şirketlerin yetişmesi zaman aldı, ancak şimdi birçok bellek üreticisi yüksek katmanlı yongalar sunabiliyor.
Micron 232 katman, SK Hynix ise 238 katmanlı 3D TLC NAND çipleriyle Samsung’un önüne geçmişti. Ancak Güney Koreli dev yerinde durmuyor ve 236 katmanlı 3D NAND (V-NAND markalı) teknolojisi için toplu üretime başlıyor.
Bugün Samsung’un 7. Nesil V-NAND teknolojisi zaten 2.0 GT/s’ye kadar arayüz hızları sunuyor. Şirketin yeni nesil ile arayüz hızını daha da artırmasını bekliyoruz. Ayrıca program blok boyutuyla birlikte NAND performansının artması ve okuma sürecindeki gecikmelerin azalması muhtemel. Ama ne yazık ki şirket kesin özellikleri sağlamadı.
Artan NAND katmanı bazen flash bellek ölçeklendirmesinin kolay bir yolu olarak kabul edilse de, durum her zaman böyle değil. NAND katmanlarını daha ince (ve dolayısıyla daha küçük hücreler) yapmak ve bitleri daha güvenilir şekilde depolamak için yeni malzemeler kullanmak gerekir. Ayrıca yüzlerce katmanı aşındırmak zor olduğundan, 3D NAND üreticilerinin yüzlerce katmanla 3D NAND oluşturmak için dizi istifleme (string stacking) tekniklerini benimsemesi gerekiyor. Samsung, 176 katmanlı V7-NAND ile dizi istiflemeyi henüz benimsemedi, ancak teknolojinin 236 katmanlı V8-NAND için kullanılıp kullanılmayacağı henüz belli değil.
Bu konu hakkında ne düşünüyorsunuz?
Hep beraber teknomy forum‘da tartışalım.
